一、专业术语

　　1.CP (Chip Probing 芯片/晶片+测试/探测): 顾名思义，测试芯片的电性参数。测试的是晶圆中的每一个芯片(die)，目的是剔掉次品以减少后续封装的成本

　　2.CVD (chemical vapor deposition 化学气相沉积): 利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。具体的有如MOCVD（金属氧化物～）和PECVD（等离子体增强～）

　　3.Datasheet (规格/说明书): 总结产品、机器、部件（例如电子部件）、材料、子系统（例如电源）的性能和其他特性的文件

　　4.Die (芯片): 单个完整的集成电路器件

　　5.Eg (band gap 禁带宽度): 也叫“能带”，是固体中没有电子状态的能级范围，是决定固体材料导电特性的关键参数。具有带宽度的属于绝缘体；小禁带宽度的属于半导体；没有或具有很小禁带宽度的为导体

　　6.FT (Final Test 出厂测试): 对封装好的芯片进行测试。通常测试项比CP要少得多，因为之前已经测过了

　　7.RDS(on) 导通电阻: 也简称“RDS”或者“Ron”，器件非常重要的一种特性。定义：晶体管导通后两端电压与导通电流之比。其值越大意味着电流/功率损耗越大，因此一般越小越好

　　8.SOP (Standard Operation Procedure 标准作业程序): 用统一的格式描述一系列复杂的操作和步骤，便于新人快速学习与使用

　　9.Spec (Specification 规格): 人为 (如客户) 定的电性参数标准, 测得的器件参数处在标准之内才算Pass

　　10.Test recipe (测试程序): 控制变量如温度，压强，气体流量的探测程序

　　11.Vth (阈值电压): 器件漏源(drain)开始导通时所需的栅极电压

　　12.Wafer (晶圆): 生产集成电路的硅基衬底薄片

　　13.WAT (Wafer Acceptance Test 允收晶片/圆测试): 对专门的测试图形 (test key) 的测试，通过电参数来监控各步工艺是否正常和稳定