以NMOS为例，它是P型衬底，空穴是衬底的多子。NMOS要导通的话，得给栅极加正电压，那么栅极金属层将积累正电荷，排斥衬底中的空穴，使之剩下不能移动的负电中心区域，这块区域就叫做耗尽层。简单理解就是衬底里的多子被耗尽（排斥）了。

　　什么是反型层呢？给栅极加正电压，排斥空穴的同时，也会吸引衬底中的自由电子。电子被吸引到耗尽层和绝缘层（SiO2）之间，形成一个N型薄区，称为反型层。这个反型层就是源漏之间的导电沟道。