铜线压降计算公式?
下面来分析下该电路的缓启动原理:假设MOS管Q1的栅-源极间的寄生电容为Cgs,栅-漏极间的寄生电容为Cgd,漏-源极间的寄生电容为Cds,栅-漏极外部并联了电容C2(C2gt;》Cgd),所以栅-漏极的总电容C’gd=C2+Cgd,由于相对于C2来说,Cgd的容值几乎可忽略不计,所以C’gd≈C2,MOS管栅极的开启电压为Vth,正常工作时,MOS管栅源电压为Vw(此电压等于稳压管D3的嵌位电压),电容C1充电的时间常数t=(R1//R2//R3)C1,由于R3通常比R1、R2大很多,所以t≈(R1//......