推荐一个耐压800V,电流20A以上的场效应管?
这么高的电压和电流,一般不用功率场效应管,主要是因为场效应管通态电阻比较大,在大电流条件下,自身损耗很高,你可以考虑使用IGBT来做......
这么高的电压和电流,一般不用功率场效应管,主要是因为场效应管通态电阻比较大,在大电流条件下,自身损耗很高,你可以考虑使用IGBT来做......
NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数......
场效应管的参数很多,包括直流参数、交流参数和极限参数,但一般使用时关注以下主要参数:1、IDSS—饱和漏源电流......
截止区的条件:只要Ugs小于开启电压即可......
规格参数如下,产品属性产品分类:晶体管漏源击穿电压V(BR)dss:500V最大耗散功率:250W封装/外壳:TO-247-3(TO-247AC)供应商器件封装:TO-247AC安装类型:通孔(THT)工作温度:-55°C~150°C(TJ)不同Id,Vgs时的RdsOn(最大值):270毫欧@10A,10V功率耗散(最大值):250W(Tc)FET功能-栅源电压Vgss:±30V不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值):2942pF@25V不同Vgs时的栅极电荷(Qg)(最大值):76nC@10V2......
Vgs是最大开启电压,不要超过Vgs容易烧坏管子Vth是最低开启电压......
IRFZ46N是N沟道MOS管:ID=53A;PD=107W;VDS=55V;RDS=16.5mΩ;可以用SUP60N10-18P代替......
大功率场效应管IRFZ46N是N沟道MOS管,基本参数如下:ID=53A;PD=107W;VDS=55V;RDS=16.5mΩ......
1、所选断路器额定电流值小,与电容器额定电流值太接近,选择大一点的更换即可;2、电容器没有配套抑制谐波的电抗器,或选配的电抗器与系统不匹配,这种情况要更换附合要求的电抗器;3、电容坏了或开关坏了,开关接触不好就容易发热,发热后就自己跳了......