MOS管和三极管符号

　　MOS管一般可以简化为三个极，分别是栅极（G）源极（S）和漏极（D），MOS器件是电压控制型器件，用栅极电压来控制源漏的导通情况；

　　BJT三极管有三个极，分别是基极（B）发射极（E）和集电极（C），三极管是电流控制型器件，用基极电流来控制发射极与集电极的导通情况；

　　MOS管和三极管截止区

　　NMOS管的如果栅压小于阈值电压，MOS管相当于两个背靠背的二极管，不导通；

　　NPN三极管也一样，如果偏压小于阈值电压，也相当于两个背靠背的二极管，不导通；

　　MOS管和三极管线性区

　　NMOS如果栅上加正电压，就会在其下感应出相反极性的负电荷，从而产生N型沟道，使源漏导通。如果不考虑源漏电压影响，则栅压高一点，产生的沟道就宽一点，导通能力就大一点，这就是线性区。

　　NPN管如果BE结加正向偏置导通，电子就会进入到基区。除了被基区的P型空穴俘获外，它们有两个地方可以去：一个是从基极流出，一个是被集电极更高的正电压吸收。集电极电压越高，能收集到的电子就会越多，这也是线性变化的。

　　MOS管和三极管饱和区

　　NMOS在漏极电压比较高时，会使沟道夹断，之后即使电压升高，电流不会再升高，因此叫做饱和区；

　　NPN三极管在集电极电压比较高时，也会几乎全部收集到从发射极过来的电子，电压再升高也没有办法收集到更多，也是它的饱和区。